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TJPA 2025 — Analista Judiciário — Especialidade: Engenharia Elétrica (Cargo 13) — Conhecimentos Específicos

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

Cebraspe2025

70 questões nesta prova · página 2 de 4 · 68 com gabarito

Eletrônica Analógica Transistor Bipolar de Junção — Polarização e Ganho

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

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Texto-base:
No circuito amplificador a seguir, o transistor bipolar tem parâmetros β = hfe = hFE = 100, RE = 3,1 kΩ, RC = 3,3 kΩ, RB1 = 80 kΩ, RB2 = 40 kΩ, RL = 4 kΩ e VCC = 12 V. As tensões de polarização na base, no coletor e no emissor do transistor são VB =3,8 V, VC = 8,0 V e VE =3,1 V, respectivamente. Todos os capacitores têm valores tais que, na faixa de frequências dos sinais a serem amplificados, podem ser considerados como um curto-circuito.
Amplificador com transistor bipolar Q1 em emissor comum: divisor de polarização RB1 (ao Vcc) e RB2 (ao terra) na base, RC no coletor, RE no emissor com capacitor de desvio CE, fonte de sinal Ve acoplada pelo capacitor C1 à base e saída Vs acoplada pelo capacitor C2 à carga RL.
Com base nessas informações, julgue os itens a seguir.

O ganho de tensão do circuito, dado por vs dividido por ve., tem sinal negativo e módulo maior que 300.
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Eletrônica Analógica Amplificadores Operacionais — Filtros Ativos

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Amplificador operacional com fonte Vi(t) na entrada não inversora, resistor R1 da entrada inversora ao terra e, entre a entrada inversora e a saída Vo(t), resistor R2 em paralelo com capacitor C.
Considerando que todos os componentes usados no circuito precedente são ideais, julgue os itens subsequentes.

A função de transferência H(s) do circuito, no domínio s da transformada de Laplace, é H(s) = 1 + (R2/R1) · 1/(1 + R2·C·s)..
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Eletrônica Analógica Amplificadores Operacionais — Filtros Ativos

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Amplificador operacional com fonte Vi(t) na entrada não inversora, resistor R1 da entrada inversora ao terra e, entre a entrada inversora e a saída Vo(t), resistor R2 em paralelo com capacitor C.
Considerando que todos os componentes usados no circuito precedente são ideais, julgue os itens subsequentes.

O circuito funciona como um filtro passa-alta de primeira ordem, com frequência de corte igual a 1 sobre (2π R2 · C). Hz.
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Eletrônica Digital Circuitos Lógicos Combinacionais

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

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Texto-base:
Circuito lógico: porta AND com entradas A e C invertidas por inversores; porta AND com entradas A, B e C; porta AND com entradas A, C e D; as três saídas alimentam uma porta OR cuja saída é S.
Com base no circuito lógico precedente, julgue os próximos itens.

A tabela verdade a seguir corresponde à função lógica realizada pelo circuito apresentado.
Tabela verdade com colunas A, B, C, D e S e 16 linhas: 0000→1; 0001→1; 0010→0; 0011→0; 0100→1; 0101→1; 0110→0; 0111→0; 1000→0; 1001→0; 1010→0; 1011→1; 1100→0; 1101→0; 1110→1; 1111→1.
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Eletrônica Digital Circuitos Lógicos Combinacionais

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Circuito lógico: porta AND com entradas A e C invertidas por inversores; porta AND com entradas A, B e C; porta AND com entradas A, C e D; as três saídas alimentam uma porta OR cuja saída é S.
Com base no circuito lógico precedente, julgue os próximos itens.

O circuito apresentado poderia também ser implementado com o uso de portas lógicas apenas do tipo NOR.
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Eletrônica Digital Circuitos Sequenciais — Flip-flops

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

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Dois flip-flops tipo D com clock comum ("relógio"): a entrada D1 recebe a saída Q1 barrada do próprio flip-flop; a saída Q1 e a saída Q0 alimentam uma porta XOR cuja saída vai à entrada D0.
Considerando o circuito precedente, que utiliza dois flip-flops tipo D acionados por borda de subida do sinal de relógio, julgue o item a seguir, assumindo que qualquer controle de PRESET ou de CLEAR esteja adequadamente configurado para permitir operação contínua.

Para os flip-flops corretamente inicializados, se o circuito operar com pulsos de clock contínuos, os estados das saídas (Q1, Q0) a cada borda de subida do relógio evoluirão de forma cíclica na ordem 00 → 10 → 01 → 11 → 00 → ... .
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Eletrônica Digital Portas Lógicas CMOS

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

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Circuito CMOS com entradas A, B e C: transistores M6, M5 e M4 empilhados entre VDD e a saída Vsaída, e transistores M1, M2 e M3 ligados entre a saída e o terra, cada par controlado por uma das entradas.
Com base no circuito precedente, que utiliza transistores MOSFET em tecnologia CMOS, julgue o item subsecutivo.

O circuito utiliza três transistores PMOS conectados em série e três transistores NMOS conectados em paralelo, formando uma arquitetura típica de uma porta NAND de três entradas.
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Eletrônica Analógica Retificadores e Fontes de Alimentação

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

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A fonte de alimentação implementada pelo circuito a seguir utiliza um transformador com secundário de tomada central e razão de transformação de 15:1 entre o primário e cada metade do secundário (da tomada central até uma das extremidades), o que resulta em uma razão de 7,5:1 entre o primário e a tensão total entre as extremidades do secundário. O enrolamento primário recebe uma tensão alternada de 110 VRMS/60 Hz. O circuito conta com dois diodos retificadores comuns (D1 e D2), com queda típica de 0,7 V em condução, um capacitor de filtragem de 1.000 μF e um resistor de carga de 100 Ω.
Fonte com transformador 15:1 de secundário com tomada central aterrada, primário em 110 VRMS 60 Hz, diodos D1 e D2 ligados às extremidades do secundário com catodos unidos, capacitor C e resistor R em paralelo na saída.
A partir dessas informações, julgue o item seguinte.

A tensão média sobre o resistor de carga R é maior que 11 V.
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Eletrônica de Potência Conversores CC-CC — Elevador de Tensão (Boost)

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

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O conversor DC-DC do tipo step-up é utilizado para elevar a tensão contínua de entrada para um valor superior na saída. Seu funcionamento baseia-se no armazenamento de energia em um indutor durante o tempo em que a chave está fechada e na liberação dessa energia para a carga quando a chave se abre.
Acerca do dispositivo apresentado, julgue o item a seguir.

Considerando operação ideal em regime de condução contínua, a tensão de saída (vₛ) do conversor step-up é relacionada à tensão de entrada (vₑ) por vs = ve / (1 − D)., em que D é o ciclo de trabalho (duty cycle).
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Eletrônica Digital Conversores A/D e D/A

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

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Texto-base:
Certo microcontrolador é utilizado para amostrar um sinal analógico por meio de seu conversor analógico-digital (A/D), realizar o processamento do sinal (uma filtragem digital, por exemplo) e, em seguida, enviar o sinal processado a um conversor digital-analógico (D/A) controlado pelo próprio microcontrolador. Os conversores A/D e D/A têm resolução de 12 bits, e os sinais de entrada e saída operam na faixa de tensão de –5 V a +5 V. O sinal de interesse possui componentes significativas apenas na faixa entre 0 Hz e 100 Hz.
A partir das informações apresentadas e considerando os aspectos de hardware e software relacionados, julgue os itens que se seguem.

Para a resolução do conversor A/D e para a faixa de entrada citadas, a menor variação de tensão que pode ser distinguida pelo conversor é de aproximadamente 1,22 mV.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

LSB = 10 V / 4096 ≈ 2,44 mV, não 1,22 mV.

A faixa de –5 V a +5 V tem 10 V de amplitude. Com 12 bits há 2^12 = 4096 níveis, então a resolução é 10/4096 ≈ 2,44 mV. O valor de 1,22 mV corresponderia a uma faixa de 5 V (ou a 13 bits).

Análise das alternativas

Certo (A) está errado, pois o valor correto é cerca de 2,44 mV, o dobro do citado.

Referência: Conversores A/D: LSB = FSR/2^N.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Processamento Digital de Sinais Teorema da Amostragem

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

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Texto-base:
Certo microcontrolador é utilizado para amostrar um sinal analógico por meio de seu conversor analógico-digital (A/D), realizar o processamento do sinal (uma filtragem digital, por exemplo) e, em seguida, enviar o sinal processado a um conversor digital-analógico (D/A) controlado pelo próprio microcontrolador. Os conversores A/D e D/A têm resolução de 12 bits, e os sinais de entrada e saída operam na faixa de tensão de –5 V a +5 V. O sinal de interesse possui componentes significativas apenas na faixa entre 0 Hz e 100 Hz.
A partir das informações apresentadas e considerando os aspectos de hardware e software relacionados, julgue os itens que se seguem.

A fim de garantir a reconstrução adequada de sinais com componentes de até 100 Hz, a menor taxa de amostragem que atende ao teorema de Nyquist é de 50 Hz.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

Nyquist exige taxa mínima de 2×fmax = 200 Hz, não 50 Hz.

O teorema da amostragem exige fs ≥ 2·fmax. Para 100 Hz, a taxa mínima é 200 Hz. 50 Hz seria a metade da frequência máxima e causaria aliasing.

Análise das alternativas

Certo (A) está errado porque 50 Hz é inferior a 200 Hz. Gabarito: Errado.

Referência: Teorema de Nyquist-Shannon.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Telecomunicações Modulação AM e FM

Cebraspe 2025

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Texto-base:
Julgue os itens subsequentes, no que diz respeito aos princípios de comunicações e comutações analógicas e digitais, bem como a microcomputadores.

Em sistemas de comunicação analógica, a modulação em frequência (FM) requer, em geral, uma largura de banda maior que a modulação em amplitude (AM), devido à variação contínua da frequência da portadora em resposta às oscilações do sinal de informação.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

FM exige, em geral, maior largura de banda que AM (regra de Carson).

Na FM a informação varia a frequência da portadora, gerando muitas bandas laterais significativas; pela regra de Carson, B ≈ 2(Δf + fm), bem maior que os 2fm da AM. Por isso o item está correto.

Análise das alternativas

Errado (B) estaria incorreto: a FM de fato ocupa mais banda que a AM, em troca de maior imunidade a ruído.

Referência: Regra de Carson; teoria de modulação angular.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Redes de Computadores Comutação de Circuitos e de Pacotes

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Julgue os itens subsequentes, no que diz respeito aos princípios de comunicações e comutações analógicas e digitais, bem como a microcomputadores.

Na comutação por circuitos, típica das redes digitais modernas, os dados são divididos em pequenos pacotes, cada um com seu próprio cabeçalho de endereçamento, sendo esses pacotes roteados de forma independente pelo meio físico.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

A descrição de pacotes roteados independentemente refere-se à comutação por pacotes.

Na comutação por circuitos (como na telefonia clássica), é estabelecido um caminho dedicado antes da transmissão, e não há divisão em pacotes. A divisão em pacotes com cabeçalho próprio e roteamento independente caracteriza a comutação por pacotes, típica das redes modernas como a internet.

Análise das alternativas

Certo: mistura as características das duas técnicas. Errado: é o gabarito.

Referência: Comutação de circuitos x comutação de pacotes.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Arquitetura de Computadores Memória Cache

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Julgue os itens subsequentes, no que diz respeito aos princípios de comunicações e comutações analógicas e digitais, bem como a microcomputadores.

A memória cache é projetada para armazenar dados permanentemente, mesmo após o desligamento do sistema, o que garante acesso mais rápido a arquivos importantes do usuário ao reiniciar o computador.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

A cache é memória volátil e rápida, e não armazena dados permanentemente.

A memória cache é volátil (em geral SRAM) e perde seu conteúdo quando o sistema é desligado. Ela guarda temporariamente dados e instruções de acesso frequente para reduzir a latência da CPU. O armazenamento permanente é função de discos e SSDs, e por isso o item está errado.

Análise das alternativas

Certo: atribui à cache uma persistência que ela não tem. Errado: é o gabarito.

Referência: Hierarquia de memória.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Materiais Elétricos Semicondutores

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

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Texto-base:
Acerca das propriedades e das características dos materiais condutores, isolantes e magnéticos, julgue os próximos itens.

A condutividade dos semicondutores intrínsecos diminui com o aumento da temperatura.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

Nos semicondutores intrínsecos, a condutividade aumenta com a temperatura.

Com o aumento da temperatura, mais elétrons passam para a banda de condução, e a concentração de portadores cresce de forma exponencial. Isso supera a queda de mobilidade e aumenta a condutividade. Afirmar que ela diminui torna o item errado.

Análise das alternativas

Certo: descreve o comportamento dos metais, não o dos semicondutores intrínsecos. Errado: é o gabarito.

Referência: Semicondutores intrínsecos e dependência da temperatura.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Materiais Elétricos Semicondutores

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Acerca das propriedades e das características dos materiais condutores, isolantes e magnéticos, julgue os próximos itens.

A faixa de esgotamento dos semicondutores do tipo n pode ser definida como uma faixa de temperaturas em que não há alteração significativa da condutividade do semicondutor.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

Na faixa de esgotamento, a condutividade do semicondutor n varia pouco.

Na faixa de esgotamento (exaustão, ou saturação), todos os doadores já estão ionizados e os portadores intrínsecos ainda são desprezíveis. A concentração de portadores fica praticamente constante, e a condutividade não muda de modo significativo com a temperatura, o que torna o item certo.

Análise das alternativas

Certo: é o gabarito. Errado: ignoraria o patamar de condutividade característico dessa faixa.

Referência: Semicondutores extrínsecos: regiões de congelamento, esgotamento e intrínseca.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Materiais Elétricos Materiais Isolantes — Teoria de Bandas

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Acerca das propriedades e das características dos materiais condutores, isolantes e magnéticos, julgue os próximos itens.

Nos materiais isolantes, a banda de valência é preenchida, enquanto a banda de condução é vazia.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

Nos isolantes, a banda de valência é cheia e a de condução é vazia.

Nos isolantes a banda de valência está totalmente preenchida e a de condução está vazia. Entre elas há um gap de energia grande, que impede a condução em condições normais. O item descreve corretamente a teoria de bandas.

Análise das alternativas

Certo: é o gabarito. Errado: negaria a estrutura de bandas típica dos isolantes.

Referência: Teoria de bandas de energia.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Materiais Elétricos Materiais Dielétricos

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Acerca das propriedades e das características dos materiais condutores, isolantes e magnéticos, julgue os próximos itens.

Para um dielétrico usado em um capacitor, o fator de perda é o produto entre a constante dielétrica e a tangente do ângulo de perda dielétrica.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

Fator de perda = constante dielétrica × tan δ.

Para um dielétrico de capacitor, o fator de perda é o produto da constante dielétrica relativa (εr) pela tangente do ângulo de perda (tan δ). Ele mede a energia dissipada como calor no dielétrico, e o item está certo.

Análise das alternativas

Certo: é o gabarito. Errado: negaria a definição usual, εr·tan δ.

Referência: Perdas dielétricas em capacitores.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Materiais Elétricos Materiais Dielétricos

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Acerca das propriedades e das características dos materiais condutores, isolantes e magnéticos, julgue os próximos itens.

Altas voltagens aplicadas a um dielétrico podem romper a propriedade isolante do material, e a voltagem observada no rompimento é uma medida da constante dielétrica do material.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

A tensão de ruptura mede a rigidez dielétrica, não a constante dielétrica.

A tensão (ou campo) em que o dielétrico rompe e passa a conduzir mede sua rigidez dielétrica. A constante dielétrica (permissividade relativa) indica a capacidade do material de se polarizar e armazenar energia, e é outra propriedade. O item confunde as duas, e por isso está errado.

Análise das alternativas

Certo: confunde rigidez dielétrica com constante dielétrica. Errado: é o gabarito.

Referência: Materiais dielétricos – rigidez dielétrica.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Eletromagnetismo Campo Magnético em Solenoides

Cebraspe 2025

Tribunal de Justiça do Estado do Pará (TJPA) · Analista Judiciário – Especialidade: Engenharia Elétrica

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Texto-base:
Em um solenoide longo, com 10 espiras por centímetro e núcleo de ferro macio, a densidade do campo magnético no centro do núcleo, quando uma corrente de 1,2 A passa na bobina, é de 12 T.
A partir das informações precedentes, julgue os itens que se seguem, considerando que a permeabilidade magnética no vácuo é de 4·π·10⁻⁷ H/m e assumindo que π = 3.

A intensidade do campo magnético no centro do solenoide é inferior 10³ A/m.
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Resolução comentada

H = nI = 1200 A/m, que é maior que 10³ A/m.

São 10 espiras por cm, ou seja, 1000 espiras/m. Assim H = nI = 1000 × 1,2 = 1200 A/m, valor superior a 10³ A/m. O item afirma que é inferior, portanto está errado.

Análise das alternativas

Certo: ignora a conversão de cm para m ou o cálculo de H. Errado: é o gabarito.

Referência: Lei de Ampère em solenoides: H = nI.

Resolução comentada do VaiConcursos.