← Voltar para a lista de provas Marinha do Brasil · Quadro Técnico de Praças da Armada (QTPA) — Eletroeletrônica 50 questões nesta prova · página 1 de 3 · 50 com gabarito Gabarito disponível Memórias magnéticas são não-voláteis. Memórias magnéticas (disco rígido, fita) mantêm a informação sem alimentação, portanto são não-voláteis. B: o acesso é aleatório ou sequencial, não 'combinacional'. C: a ROM é não-volátil. D: a RAM permite leitura e escrita, não é só de leitura. E: o armazenamento é classificado como estático ou dinâmico; 'sequencial' refere-se ao tipo de acesso. Referência: Classificação de memórias em sistemas digitais. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Amplificador classe A com acoplamento por transformador tem eficiência maior. No classe A com acoplamento por transformador, a carga é refletida ao primário e não há perda CC em resistor de carga. A eficiência teórica máxima sobe de 25% para 50%. A: diodos são os componentes usuais em retificadores. B: o FET tem resistência de entrada muito maior que o BJT. C: os FET (MOSFET) são amplamente integrados e miniaturizados. E: o germânio também forma junções P-N, como nos primeiros diodos e transistores. Referência: Eletrônica analógica: amplificadores de potência classe A. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Condutâncias somadas em paralelo. Em paralelo, 1/Req = 10/30 + 8/24 + 4/12 = 1/3 + 1/3 + 1/3 = 1 S. Logo Req = 1 Ω. 2 Ω, 9 Ω e 22 Ω não resultam da soma das condutâncias. 540 Ω seria um valor típico de associação em série ou de erro de cálculo; em paralelo a resistência é menor que a menor lâmpada (12 Ω). Referência: Associação de resistores em paralelo. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível L = μN²A/C: dobrar N e C dobra L. A indutância de uma bobina é L = μN²A/C. Dobrando N, o numerador é multiplicado por 4. Dobrando C, o denominador é multiplicado por 2. O novo valor é 4/2 = 2 vezes L, ou seja, 2L. 4L ignora o efeito do comprimento. L ignoraria a variação de N. L/4 e L/8 invertem a relação, pois L cresce com N² e diminui com C. Referência: Eletromagnetismo: indutância de solenoide. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Reatância capacitiva Xc = 1/(ωC). A reatância capacitiva vale Xc = 1/(ωC). Com ω = 400 rad/s e C = 1×10⁻⁶ F, Xc = 1/(400×10⁻⁶) = 2500 Ω. A, B, C e D resultam de erros de potência de dez ou da inversão da fórmula (por exemplo, usar ωC). Só 2500 Ω satisfaz 1/(ωC). Referência: Circuitos de CA: reatância capacitiva, Xc = 1/(ωC). Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Gabarito disponível Amp-op ideal: diferença de tensão entre as entradas é nula. Com ganho infinito e saída finita, a tensão diferencial de entrada tende a zero. É o conceito de curto-circuito virtual entre as entradas. Os valores de ±0,7 V lembram a queda em uma junção de silício, e os de ±0,3 V lembram a de germânio. Nenhum deles se aplica ao amp-op ideal. Referência: Amplificadores operacionais: terra virtual. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Gabarito disponível Gabarito disponível Paramagnético alinha-se e perde o alinhamento; diamagnético opõe-se; ferromagnético retém. No paramagnetismo, os momentos se alinham com o campo aplicado e o alinhamento desaparece sem ele (I-b). No diamagnetismo, o campo gerado é oposto ao aplicado (II-a). No ferromagnetismo, o alinhamento permanece, com magnetização remanente (III-c). As demais opções trocam as definições entre os tipos. Atribuir a oposição ao campo ao paramagnético ou a remanência ao diamagnético contradiz o comportamento de cada material. Referência: Eletromagnetismo: materiais magnéticos. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Um DEMUX em ladder pode ser feito com ANDs de entradas e seleções em cada saída. Cada saída do demultiplexador é ativada quando a combinação das linhas de seleção correspondente está presente junto com o dado. Isso equivale a contatos em série, ou seja, uma operação AND. B) O MUX pode ser representado com combinações AND e OR. C) De Morgan aplica-se à lógica de contatos, pois ela representa a mesma álgebra booleana. D) Contatos em série formam AND, não OR. E) Contatos em paralelo formam OR, não AND. Referência: Linguagem Ladder e álgebra booleana. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Gabarito disponível SPDA: II, III e V são verdadeiras. O SPDA tem captação, descida e aterramento (II). A ligação equipotencial com estruturas metálicas próximas evita centelhamento perigoso (III). Uma haste instalada que não faz parte da estrutura é um captor não natural (V). I é falsa: o SPDA capta e conduz a descarga com segurança à terra, não a repele. IV é falsa: o alumínio tem restrições por motivos como corrosão e fusão, não por ser não magnético, e o magnetismo é irrelevante aqui. Referência: Proteção contra descargas atmosféricas: subsistemas e equipotencialização. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Gabarito disponível Valor eficaz de uma senoide: Vp/√2. Vrms = Vp/√2 = 1000/1,414 ≈ 707 V. A) 500 V seria Vp/2. B) 637 V é o valor médio (2Vp/π). D) 1110 V não corresponde a nenhuma grandeza da senoide. E) 1414 V é Vp·√2, que seria o erro de multiplicar em vez de dividir. Referência: Circuitos CA: valor eficaz (RMS) de sinais senoidais. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Gabarito disponível FET ideal: impedância de entrada muito alta e IG = 0. No FET, o gate é isolado do canal (por junção reversa no JFET ou por óxido no MOSFET). Por isso a impedância de entrada é muito alta e a corrente de gate é ideal e igual a zero. B) e D) indicam uma corrente de 1 mA, o que contradiz o isolamento do gate. C) e D) indicam impedância baixa, que é o oposto do correto. E) Corrente infinita é absurda para um gate isolado. Referência: Transistores de efeito de campo: JFET e MOSFET. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Gabarito disponível Descarga do RC: t = RC·ln2. Na descarga, V = Vo·e^(−t/RC). Para V = Vo/2, t = RC·ln2. Com RC = 10·10⁶ × 1·10⁻⁶ = 10 s, t = 10 × 0,7 = 7,0 s. A) e B) erram a ordem de grandeza da constante de tempo. C) 3,5 s corresponde a metade do valor correto. E) 10 s é a constante de tempo τ, não o tempo de meia queda. Referência: Circuitos RC: constante de tempo e descarga do capacitor. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponívelMarinha do Brasil — CP-QTPA 2022 — Eletroeletrônica — Prova Amarela
Resolução comentada
Análise das alternativas
Resolução comentada
Análise das alternativas
Resolução comentada
Análise das alternativas
Resolução comentada
Análise das alternativas
Resolução comentada
Análise das alternativas
I -
II -
Assinale a opção que apresenta equivalência com as respectivas portas lógicas.Resolução comentada
Análise das alternativas
Assumindo que o transformador é ideal, coloque V (Verdadeiro) ou F (Falso) nas afirmativas abaixo e, em seguida, assinale a opção que apresenta a sequência correta.
( ) A razão das correntes IP/IS que passam pelos enrolamentos primário e secundário é igual à razão das tensões VP/VS medidas, respectivamente, nesses enrolamentos.
( ) A razão das tensões VP/VS medidas nos enrolamentos primário e secundário é igual à razão do número de espiras NP/NS das respectivas bobinas.
( ) A potência de entrada no enrolamento primário é totalmente entregue ao enrolamento secundário.
Foi medida a tensão (Volts) em função do tempo (segundos) de um resistor com um osciloscópio, e o visor do osciloscópio é mostrado na figura acima. De acordo com os dados apresentados, assinale a opção que apresenta os valores corretos da escala graduada da amplitude do sinal no osciloscópio e a frequência de oscilação da tensão, respectivamente.
Tipos de materiais magnéticos:
I- Paramagnetismo.
II- Diamagnetismo.
III- Ferromagnetismo.
Definições:
a. Ao ser aplicado um campo magnético externo nesse material, sua característica principal é que o campo magnético gerado é sempre oposto ao campo magnético aplicado.
b. Ao ser aplicado um campo magnético externo nesse material, seus momentos magnéticos tendem a se alinhar com o campo magnético aplicado e, ao cessar o campo magnético externo, o alinhamento desaparece.
c. Ao ser aplicado um campo magnético externo neste material, seus momentos magnéticos tendem a se alinhar com o campo magnético aplicado, ao cessar o campo magnético externo este alinhamento permanece.Resolução comentada
Análise das alternativas
Resolução comentada
Análise das alternativas
Considerando o diagrama representativo, conforme a norma IEC1131-3, assinale a opção correta.
I- É projetado com a finalidade de repelir as descargas atmosféricas que atingem diretamente a parte superior ou lateral das estruturas que se deseja proteger.
II- É constituído de três subsistemas: subsistema de captação, subsistema de descida e subsistema de aterramento.
III- Se o SPDA está muito próximo de uma estrutura metálica, é necessário estabelecer uma ligação equipotencial com essa estrutura para evitar um centelhamento perigoso.
IV- O alumínio, por mais que seja um bom condutor de eletricidade, não é usado em projetos de SPDA por ser um material não-magnético.
V- Quando é instalada uma haste no alto de um edifício como subsistema de captação e ela não faz parte da estrutura do edifício, é correto classificá-la, segundo sua natureza construtiva, como um captor não-natural.
Assinale a opção correta.Resolução comentada
Análise das alternativas
Calcule o módulo da reatância capacitiva Xc que deve ser conectada em paralelo ao circuito RL de tal forma que o fator de potência do circuito seja corrigido para uma unidade e marque a opção correta.
Dado: √2 = 1,414Resolução comentada
Análise das alternativas
Na figura acima, uma barra condutora ab está em contato com os trilhos ca e db. O dispositivo encontra-se em um campo magnético uniforme de 1,500 T, perpendicular ao plano da figura. Assinale a opção que apresenta o correto módulo da fem induzida na barra quando ela se desloca da esquerda para a direita com velocidade igual a 6,00 m/s e o sentido que a corrente flui na barra.Resolução comentada
Análise das alternativas
Considerando que a tensão Vi = 10 V, assinale a opção que apresenta o valor de Vo.
Dado: ln 2 = 0,7Resolução comentada
Análise das alternativas
Considerando o diagrama de contatos acima, assinale a opção correta.
Quanto aos diversos tipos de classificação de memória, assinale a opção correta.
Com relação aos dispositivos semicondutores, é correto afirmar que:
Dez lâmpadas de 30 Ω, oito lâmpadas de 24 Ω e quatro lâmpadas de 12 Ω estão ligadas em paralelo. Dessa forma, calcule a resistência equivalente e marque a opção correta.
Considere uma bobina de indutância L, de comprimento C, contendo N espiras em torno de um núcleo. Caso o número de espiras N dobre em quantidade, o seu comprimento C dobre de tamanho e os demais parâmetros da bobina não se alterem, qual será o novo valor de indutância da bobina?
Determine o valor do módulo da reatância XC de um capacitor de 1µF quando nele é aplicada uma tensão do tipo senoidal de frequência angular ω de 400rad/s e assinale a opção correta.
Observe os circuitos lógicos I e II abaixo:
Para um amplificador operacional ideal, a diferença de tensão entre as entradas é de:
Observe a figura abaixo.
Observe a figura abaixo.
Correlacione os tipos de materiais magnéticos às suas definições e assinale a opção correta.
Com relação à representação de circuitos lógicos por diagramas de contatos, assinale a opção correta.
Observe a figura abaixo.
A respeito do Sistema de Proteção de Descargas Atmosféricas (SPDA), analise as afirmativas abaixo.
Observe a figura abaixo.
A tensão de pico de saída de um gerador de corrente alternada é 1000V. Considerando que não há offset na saída, determine o valor RMS (eficaz) da tensão de saída desse gerador e assinale a opção correta.
Observe a figura abaixo.
Para um transistor de efeito de campo (FET), os valores ideais de impedância de entrada e corrente no terminal Gate são, respectivamente:
Observe a figura abaixo.
Um circuito de corrente contínua tem uma resistência R de 10 MΩ conectada em série com um capacitor C de 1 µF. Considerando que o circuito encontra-se em regime permanente e o capacitor esteja carregado com uma tensão inicial Vo, determine em quantos segundos a tensão no capacitor cairá pela metade (Vo/2) quando a associação RC for curto-circuitada e assinale a opção correta.
Observe a figura abaixo.