← Voltar para a lista de provas Marinha do Brasil · Corpo Auxiliar de Praças da Marinha — Eletrônica 51 questões nesta prova · página 1 de 3 · 50 com gabarito Gabarito disponível Gabarito disponível PROM é programável uma única vez, portanto não pode ser reescrita. A PROM (Programmable ROM) é gravada uma só vez pelo usuário, por meio de queima de fusíveis, e depois não pode ser reescrita. Por isso a alternativa A está correta. B) A reescrita ilimitada não se aplica à PROM; é característica da RAM. C) A PROM é não volátil, então não perde dados sem energia. D) Ela não é mais rápida que a RAM. E) Reescrita limitada de vezes é característica de EEPROM e Flash, não da PROM. Referência: Memórias semicondutoras – ROM, PROM, EPROM, EEPROM Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Gabarito disponível f = P·n/120 = 4·1800/120 = 60 Hz. A frequência de um gerador síncrono é f = (P × n)/120, com P em polos e n em rpm. Assim, f = (4 × 1800)/120 = 60 Hz. A) 20 Hz, B) 40 Hz, D) 100 Hz e E) 120 Hz não resultam da aplicação da fórmula com os dados fornecidos. Referência: Máquinas síncronas – f = P·n/120 Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Gabarito disponível Gabarito disponível Cada átomo pentavalente doa um elétron livre: 25 milhões de átomos geram cerca de 25 milhões de elétrons. Os átomos pentavalentes (doadores) têm 5 elétrons de valência, e 4 formam ligações com o silício. O quinto fica livre, então cada átomo doador contribui com um elétron. Com 25 milhões de átomos dopantes, obtêm-se cerca de 25 milhões de elétrons livres. A, B, D e E apresentam quantidades que não correspondem à relação de 1 elétron livre por átomo doador, que dá 25 milhões. Referência: Semicondutores extrínsecos tipo n Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Na polarização reversa, a região de depleção aumenta. Na polarização reversa, o potencial externo reforça a barreira de potencial, afastando portadores da junção e alargando a região de depleção. Por isso a alternativa D está correta. A) Com 0 V, o fluxo líquido de carga é nulo (as correntes de portadores majoritários e minoritários se cancelam). B) Na reversa a depleção aumenta, não diminui. C) Ela se altera, aumentando. E) Na reversa existe uma pequena corrente de saturação reversa, de portadores minoritários, então o fluxo líquido não é rigorosamente zero. Referência: Diodo semicondutor – junção p-n (Boylestad) Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Gabarito disponível 10101 (21) + 10010 (18) = 39. 10101 em binário vale 16+4+1 = 21, e 10010 vale 16+2 = 18. A soma é 21+18 = 39. Em binário, o resultado é 100111, que equivale a 39. B) 40, C) 41, D) 42 e E) 43 não correspondem à soma correta, que é 39. Referência: Sistemas de numeração – soma binária Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Gabarito disponível Material tipo p é obtido com impurezas trivalentes. Para obter semicondutor tipo p, dopa-se o silício com impurezas trivalentes (aceitadoras), como boro ou gálio, com 3 elétrons na camada de valência. Isso cria lacunas, que são os portadores majoritários. A) Impurezas pentavalentes produzem material tipo n. B) É perfeitamente possível dopar para tipo p. D) Mesmo dopado, o material não tem pureza de 100%, pois contém impurezas intencionais. E) O silício puro (intrínseco) tem grau de impureza muito baixo, não de 100%. Referência: Semicondutores extrínsecos tipo p e tipo n Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Distributiva: X(Y+Z)=XY+XZ; associativa: X(YZ)=(XY)Z. A propriedade distributiva aplicada a X.(Y+Z) resulta em (X.Y)+(X.Z). A associativa aplicada a X.(Y.Z) permite reagrupar como (X.Y).Z. Logo, a alternativa A traz os dois resultados na ordem pedida. B) Mistura operações e não corresponde a nenhuma das propriedades. C) X+(Y.Z) é incorreto, pois a distributiva não resulta nisso. D) X.Y.Z não é o resultado da distributiva sobre uma soma. E) Inverte a ordem: apresenta a associativa primeiro e a distributiva depois, em desacordo com o enunciado (respectivamente). Referência: Álgebra booleana – propriedades distributiva e associativa Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Memória que guarda temporariamente dados e programas em uso: RAM. A RAM (memória de acesso aleatório) é a memória principal, volátil, que armazena temporariamente os dados e programas em execução. É a definição clássica dessa memória. B) ROM é memória somente de leitura, não volátil, usada para armazenamento permanente. C) PROM é programável uma única vez, não serve como espaço temporário. D) Flash é não volátil, usada para armazenamento duradouro. E) Cache é uma memória pequena e rápida que guarda dados de acesso frequente, não o espaço principal de programas em execução. Referência: Eletrônica digital – memórias semicondutoras Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível A é a PROM (gravada uma vez) e B é a EPROM (apagável e regravável). A PROM é programada uma única vez pelo usuário. A EPROM pode ser apagada, por luz ultravioleta, e reprogramada, o que dá a capacidade de reutilização citada. A) A ROM não é regravável, e a RAM é volátil, de leitura e escrita. B) A PROM não é reutilizável. D) A RAM é volátil e não se enquadra na descrição. E) A EPROM é reutilizável, então não pode ser a do tipo A. Referência: Memórias semicondutoras. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível Gabarito disponível Gabarito disponível τ = L/R = 2,5 s, e 5τ = 12,5 s. A constante de tempo do circuito RL é τ = L/R = 50/20 = 2,5 s. O estado estacionário é atingido após 5τ, ou seja, 5 × 2,5 = 12,5 s. A) 50, B) 25,5, C) 20 e E) 12 não correspondem a 5·L/R. D) está correta. Referência: Circuitos RL: constante de tempo. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível A versão TTL mais rápida e de menor consumo é a Advanced Schottky. Entre as versões listadas, a Advanced Schottky (AS) combina a maior velocidade com consumo reduzido. Esse é o critério do enunciado, conforme o gabarito. A) Schmitt-trigger é um tipo de entrada com histerese, não uma versão de velocidade. B) Schottky é rápida, mas consome mais. C) High Speed TTL é rápida, mas com consumo alto. E) Low power Schottky reduz o consumo, mas é menos veloz que a AS. Referência: Versões da família TTL. Resolução comentada do VaiConcursos. Gabarito disponível C = Q/V = 8/2 = 4 F. A capacitância é a razão entre a carga armazenada e a tensão aplicada: C = Q/V = 8 C / 2 V = 4 F. A) 2 F, C) 6 F, D) 8 F e E) 10 F não resultam de 8/2. B) está correta. Referência: Capacitância: C = Q/V. Resolução comentada do VaiConcursos.Marinha do Brasil — CP-CAP/2024 — Eletrônica — Prova Amarela
A respeito do circuito RLC série apresentado acima, é correto afirmar que o circuito estará em ressonância quando a reatância:Resolução comentada
Análise das alternativas
Calcule o valor da corrente quando os valores V₀ = 9 V; V₁ = 10V e V₂ = 0,0V, e assinale a opção correta.Resolução comentada
Análise das alternativas
Com base nessas informações, determine o valor de R e assinale a opção correta.
Dado: I = 0,5 A.
Para o circuito lógico apresentado acima, assinale a opção que apresenta a expressão booleana para a saída x.Resolução comentada
Análise das alternativas
Resolução comentada
Análise das alternativas
Resolução comentada
Análise das alternativas
Determine a capacitância total do circuito, vista entre os pontos A e B, e assinale a opção correta.Resolução comentada
Análise das alternativas
Resolução comentada
Análise das alternativas
Resolução comentada
Análise das alternativas
Resolução comentada
Análise das alternativas
Analise o circuito acima, calcule os valores das tensões em V₁, V₂ e V₃, e assinale a opção correta.Resolução comentada
Análise das alternativas
Resolução comentada
Análise das alternativas
Resolução comentada
Análise das alternativas
Observe o circuito abaixo.
De acordo com a eletrônica digital, uma memória PROM em microcontroladores:
Observe o circuito abaixo.
Considere um gerador síncrono, com 4 polos, que gira a uma velocidade de 1800 rpm. Determine a frequência da tensão gerada e assinale a opção correta.
Observe o circuito abaixo.
Analise o circuito abaixo.
Considere um processo em que um material semicondutor impuro com 20 bilhões de átomos de silício é submetido à dopagem com átomos pentavalentes na quantidade de 25 milhões. Esse processo resulta em um material impuro ou extrínseco com aproximadamente:
O diodo é formado pela junção p-n. Considerando a condição de polarização do dispositivo e as características decorrentes dessa alimentação, assinale a opção correta.
Assinale a opção que apresenta a correta identificação dos símbolos-padrão relacionados abaixo:
De acordo com a eletrônica digital, a soma do número binário 10101 com o número binário 10010 é igual ao número decimal:
Observe o circuito abaixo.
No processo de dopagem para fabricação de placas e dispositivos eletrônicos, a impureza é realizada fundindo-se o silício com impurezas. Após esse processo, em relação ao material p, é correto afirmar que:
Considerando as equações lógicas X.(Y + Z) e X.(Y.Z), ao se aplicarem, respectivamente, as propriedades distributiva e associativa, da Álgebra Booleana, sobre elas o resultado será:
“Sua principal função é fornecer espaço temporário de armazenamento para dados e programas que estão em uso ou sendo executados no momento.” Essa definição refere-se a que tipo de memória?
A diferença básica entre memória tipo A e B é a capacidade de reutilização que as do tipo B possuem (podem ser apagadas e reescreverem dados) e que as do tipo A não possuem (só podem ser escritas uma única vez). Assim, assinale a opção que apresenta as memórias A e B, respectivamente.
Observe o circuito abaixo.
De acordo com a eletrônica digital, a subtração do número octal 31 pelo número hexadecimal A é igual a determinado número decimal X. Convertendo X para binário e multiplicando pelo número binário 1001, temos o número octal:
Considere um circuito com resistência total de 20 Ω e indutância de 50 H. Admitindo que tanto em circuitos capacitivos como em circuitos indutivos, as tensões e correntes atingem seus valores estacionários após cinco constantes de tempo, determine em quantos segundos a corrente atingirá seu valor de estado estacionário e assinale a opção correta.
Dentre as versões dos Circuitos TTL, além dos blocos comuns (Standard), existem outras versões de circuitos com a finalidade de atender a solicitações de ordem prática nos parâmetros relativos à velocidade e consumo de potência. Assim, assinale a opção que apresenta a versão com mais alta velocidade e que possui menor consumo de potência.
Qual é a capacitância do dispositivo que armazena 8 Coulombs de carga com 2 V nos seus terminais?