Pular para o conteúdo

Provas

← Voltar para a lista de provas

FUB 2025 — Concurso Público (Edital nº 1 – FUB, de 3/4/2025) — Cargo 8: Engenheiro – Área: Elétrica — Prova Objetiva — Conhecimentos Específicos

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Cebraspe2025

70 questões nesta prova · página 2 de 4 · 69 com gabarito

Eletrônica Analógica Filtros Ativos

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Amplificador operacional inversor: fonte vi(t) ligada por resistor de 1 kΩ à entrada inversora; realimentação com resistor de 5 kΩ em paralelo com capacitor de 1/π μF; entrada não inversora no terra; saída vo(t).

Com base no circuito precedente, julgue os itens subsequentes.

O circuito apresentado é um filtro passa-baixa cuja frequência de corte é 10 kHz.
Selecione uma alternativa

Eletrônica Analógica Amplificadores Operacionais

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Amplificador operacional inversor: fonte vi(t) ligada por resistor de 1 kΩ à entrada inversora; realimentação com resistor de 5 kΩ em paralelo com capacitor de 1/π μF; entrada não inversora no terra; saída vo(t).

Com base no circuito precedente, julgue os itens subsequentes.

Considere que, nas entradas inversora e não inversora do amplificador operacional, as correntes de polarização sejam não nulas e iguais. Nesse caso, para compensar um possível erro de offset DC devido ao efeito das correntes de polarização, é correto inserir um resistor de 5 kΩ entre o potencial de terra e a entrada não inversora.
Selecione uma alternativa

Eletrônica Analógica Amplificadores Operacionais

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Amplificador operacional inversor: fonte vi(t) ligada por resistor de 1 kΩ à entrada inversora; realimentação com resistor de 5 kΩ em paralelo com capacitor de 1/π μF; entrada não inversora no terra; saída vo(t).

Com base no circuito precedente, julgue os itens subsequentes.

Na frequência de 0 Hz, o ganho do circuito é negativo, com valor igual a −5.
Selecione uma alternativa

Eletrônica Digital Famílias Lógicas — CMOS e NMOS

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Tabela verdade com entradas A, B, C, D e saída S. Linhas ABCD → S: 0000→1; 0001→0; 0010→1; 0011→0; 0100→0; 0101→0; 0110→0; 0111→1; 1000→1; 1001→0; 1010→1; 1011→0; 1100→1; 1101→1; 1110→0; 1111→1.

Considerando que na tabela verdade precedente é definida a lógica de saída (S) em função das entradas A, B, C e D, no contexto de um circuito digital combinacional, julgue os itens a seguir.

O consumo de energia e o tempo de comutação do circuito digital cuja resposta é a expressão booleana correspondente à tabela verdade em questão serão menores se o circuito for implementado com o uso de portas NMOS que com o uso de portas CMOS.
Selecione uma alternativa

Eletrônica Digital Simplificação de Expressões Booleanas

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Tabela verdade com entradas A, B, C, D e saída S. Linhas ABCD → S: 0000→1; 0001→0; 0010→1; 0011→0; 0100→0; 0101→0; 0110→0; 0111→1; 1000→1; 1001→0; 1010→1; 1011→0; 1100→1; 1101→1; 1110→0; 1111→1.

Considerando que na tabela verdade precedente é definida a lógica de saída (S) em função das entradas A, B, C e D, no contexto de um circuito digital combinacional, julgue os itens a seguir.

A expressão booleana mínima, na forma soma de produtos, da saída S, em função das entradas A, B, C e D, é dada por Expressão booleana: S igual a B barra D barra, mais B C D, mais A B barra C barra.
Selecione uma alternativa

Eletrônica Digital Circuitos Sequenciais — Flip-Flops e Contadores

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
O circuito sequencial a seguir é composto por dois flip-flops tipo D, ambos sensíveis à borda de descida do sinal de clock. A entrada D1 recebe o resultado da operação lógica XNOR entre as saídas Q1 e Q0, e a entrada D0 recebe o inverso da saída Q0. O estado inicial do circuito é Q1Q0 = 00.
Circuito sequencial com dois flip-flops tipo D com clock ativo na borda de descida (círculo na entrada clk) e entradas S barra e C barra ligadas em 1. Uma porta XNOR recebe Q1 e Q0 e alimenta D1; um inversor recebe Q0 e alimenta D0. O sinal de relógio (clock) alimenta as entradas clk dos dois flip-flops.

A partir dessas informações, julgue o item a seguir.

A sequência de estados gerada pelo circuito, a partir de Q1Q0 = 00, é 00, 01, 10, 11, 00, 01, e assim por diante.
Selecione uma alternativa

Eletrônica Analógica Fontes de Alimentação — Retificadores e Filtro Capacitivo

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
O circuito analógico a seguir representa o diagrama esquemático simplificado de uma fonte de tensão contínua não regulada. O transformador possui uma razão de espiras primário-secundário de 10:1, sendo alimentado por uma tensão de 110 VRMS no primário.
Fonte não regulada: tomada de 110 VRMS, 60 Hz, no primário de transformador 10:1; no secundário, um diodo em série seguido de capacitor C1 de 2.000 μF em paralelo com a carga RL de 100 Ω.

Com base nessas informações, julgue os itens a seguir.

Um aumento de 10% no valor da capacitância de C1 provocaria um aumento na tensão de ripple na saída da fonte.
Selecione uma alternativa

Eletrônica Analógica Fontes de Alimentação — Retificadores e Filtro Capacitivo

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
O circuito analógico a seguir representa o diagrama esquemático simplificado de uma fonte de tensão contínua não regulada. O transformador possui uma razão de espiras primário-secundário de 10:1, sendo alimentado por uma tensão de 110 VRMS no primário.
Fonte não regulada: tomada de 110 VRMS, 60 Hz, no primário de transformador 10:1; no secundário, um diodo em série seguido de capacitor C1 de 2.000 μF em paralelo com a carga RL de 100 Ω.

Com base nessas informações, julgue os itens a seguir.

A tensão média sobre o resistor de carga RL é inferior a 16 V.
Selecione uma alternativa

Arquitetura de Computadores Memórias RAM e ROM

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Julgue os itens a seguir, relativos a comunicações analógicas e digitais e a microcomputadores.

Nos microcomputadores desktop, a RAM é utilizada para armazenar instruções permanentes, tal como o firmware responsável pela inicialização do sistema, enquanto a ROM é usada para armazenar temporariamente os dados e instruções dos programas em execução.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

As funções de RAM e ROM estão invertidas.

A ROM é memória não volátil e guarda instruções permanentes, como o firmware de inicialização (BIOS/UEFI). A RAM é volátil e guarda temporariamente os dados e programas em execução. A questão troca as duas.

Análise das alternativas

A) Errada, pois reproduz a troca de funções. B) Correta, pois a assertiva é falsa.

Referência: Arquitetura de computadores: memórias RAM e ROM.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Telecomunicações Modulação AM e FM

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Julgue os itens a seguir, relativos a comunicações analógicas e digitais e a microcomputadores.

A modulação em amplitude é preferida na radiodifusão de áudio de alta qualidade, por ser menos suscetível a ruídos e permitir maior alcance de transmissão do que a modulação em frequência.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

A FM, e não a AM, é preferida para áudio de alta qualidade, por ser menos suscetível a ruído.

Na FM a informação está na variação de frequência, e não na amplitude. Por isso ela é mais imune a ruídos e a interferências e oferece melhor fidelidade, sendo a preferida para áudio de alta qualidade. A AM é mais sujeita a ruído, embora possa alcançar grandes distâncias em ondas médias e curtas. A afirmativa inverte as vantagens.

Análise das alternativas

A) Errada, pois atribui à AM a menor suscetibilidade a ruído, que é característica da FM. B) Correta, pois a assertiva é falsa.

Referência: Modulação analógica: AM e FM.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Materiais Elétricos Materiais Magnéticos — Temperatura de Curie

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Julgue os próximos itens, a respeito das características e propriedades dos materiais condutores, isolantes e magnéticos.

Temperatura de Curie é a temperatura acima da qual determinado material deixa de apresentar propriedades ferromagnéticas, restando somente suas propriedades paramagnéticas.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

Temperatura de Curie: perda do ferromagnetismo, que passa a paramagnetismo.

Acima da temperatura de Curie, a agitação térmica destrói o alinhamento espontâneo dos domínios magnéticos. O material ferromagnético passa então a se comportar como paramagnético. A afirmativa descreve isso corretamente.

Análise das alternativas

A) Correta, pois traduz a definição de temperatura de Curie. B) Errada, pois nega uma definição correta.

Referência: Materiais magnéticos: ferromagnetismo e temperatura de Curie.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Materiais Elétricos Materiais Condutores — Velocidade de Deriva

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Julgue os próximos itens, a respeito das características e propriedades dos materiais condutores, isolantes e magnéticos.

Em materiais condutores, a velocidade de deriva (vd) pode ser calculada por Fórmula: v índice d igual a I dividido por n vezes e. em que I é a corrente elétrica que passa pelo condutor, n é a densidade eletrônica e e é a carga elétrica elementar.
Selecione uma alternativa

Materiais Elétricos Materiais Isolantes — Propriedades Dielétricas

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Julgue os próximos itens, a respeito das características e propriedades dos materiais condutores, isolantes e magnéticos.

A permissividade dielétrica de um material é inversamente proporcional à sua rigidez dielétrica.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

Permissividade e rigidez dielétrica são propriedades distintas.

A permissividade mede a capacidade de polarização do material, e a rigidez dielétrica é o campo máximo suportado antes da ruptura. Não existe relação geral de proporcionalidade inversa entre elas.

Análise das alternativas

Certo: afirma uma relação que não existe. Errado: correto.

Referência: Materiais isolantes, propriedades dielétricas.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Materiais Elétricos Materiais Magnéticos — Retentividade

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Julgue os próximos itens, a respeito das características e propriedades dos materiais condutores, isolantes e magnéticos.

A retentividade magnética quantifica a capacidade do material em manter um magnetismo residual após a retirada de um campo magnético aplicado ao material.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

Retentividade é o magnetismo residual após remover H.

A retentividade (remanência) mede a indução ou magnetização que permanece no material depois de retirado o campo aplicado. É a definição correta.

Análise das alternativas

Certo: correto. Errado: nega a definição.

Referência: Materiais magnéticos, histerese.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Materiais Elétricos Materiais Condutores — Resistividade e Temperatura

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Julgue os próximos itens, a respeito das características e propriedades dos materiais condutores, isolantes e magnéticos.

A resistividade (ρ) de um material, em função da variação de temperatura (ΔT) à qual ele está submetido, pode ser calculada por ρ = ρ₀⋅[1 + α ⋅ ΔT], em que a constante α é a resistividade do material para uma temperatura de referência.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

α é o coeficiente de temperatura, não a resistividade.

A expressão ρ = ρ₀[1 + α·ΔT] está correta, mas α é o coeficiente de temperatura da resistividade (em 1/°C), e ρ₀ é a resistividade na temperatura de referência. O erro do item está em chamar α de resistividade.

Análise das alternativas

Certo: confunde α com ρ₀. Errado: correto.

Referência: Materiais condutores, resistividade e temperatura.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Eletromagnetismo Capacitância e Dielétricos

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Para um capacitor de placas planas e paralelas, preenchido pelo ar, as placas têm área igual a 7 × 10⁻⁵ m² e são separadas por 0,5 mm. Inicialmente, uma bateria de 12,0 V é conectada entre as placas; em um segundo momento, a bateria é desconectada e uma barra de mica de constante dielétrica igual a 8 é introduzida no capacitor, preenchendo totalmente o espaço entre as placas.

A partir dessas informações, julgue os itens subsequentes, considerando que, nas condições do ambiente, a constante elétrica do ar é 10 × 10⁻¹² F/m.

Caso a bateria seja reconectada após a introdução do dielétrico, a carga elétrica acumulada nas placas do capacitor será inferior a 15 pC.
Selecione uma alternativa

Eletromagnetismo Capacitância e Dielétricos

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Para um capacitor de placas planas e paralelas, preenchido pelo ar, as placas têm área igual a 7 × 10⁻⁵ m² e são separadas por 0,5 mm. Inicialmente, uma bateria de 12,0 V é conectada entre as placas; em um segundo momento, a bateria é desconectada e uma barra de mica de constante dielétrica igual a 8 é introduzida no capacitor, preenchendo totalmente o espaço entre as placas.

A partir dessas informações, julgue os itens subsequentes, considerando que, nas condições do ambiente, a constante elétrica do ar é 10 × 10⁻¹² F/m.

Nas condições iniciais, quando preenchido pelo ar, o capacitor tem capacitância inferior a 1,5 pF.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

C0 = 1,4 pF, que é menor que 1,5 pF.

C0 = ε0·A/d = 10×10⁻¹² · 7×10⁻⁵ / 5×10⁻⁴ = 1,4×10⁻¹² F = 1,4 pF, inferior a 1,5 pF.

Análise das alternativas

Certo: correto. Errado: contraria o cálculo.

Referência: Capacitor de placas paralelas.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Eletromagnetismo Capacitância e Dielétricos

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Texto-base:
Para um capacitor de placas planas e paralelas, preenchido pelo ar, as placas têm área igual a 7 × 10⁻⁵ m² e são separadas por 0,5 mm. Inicialmente, uma bateria de 12,0 V é conectada entre as placas; em um segundo momento, a bateria é desconectada e uma barra de mica de constante dielétrica igual a 8 é introduzida no capacitor, preenchendo totalmente o espaço entre as placas.

A partir dessas informações, julgue os itens subsequentes, considerando que, nas condições do ambiente, a constante elétrica do ar é 10 × 10⁻¹² F/m.

Após a introdução do dielétrico, a capacitância do capacitor será superior a 12pF.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

C com mica = 8 × 1,4 pF = 11,2 pF, menor que 12 pF.

C0 = ε·A/d = 10×10⁻¹² · 7×10⁻⁵ / 0,5×10⁻³ = 1,4 pF. Com o dielétrico, C = 8 · 1,4 = 11,2 pF, que é inferior a 12 pF.

Análise das alternativas

Certo: errado, pois 11,2 pF < 12 pF. Errado: correto.

Referência: Capacitor de placas paralelas com dielétrico.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Eletromagnetismo Magnetização em Materiais

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Acerca da magnetização em materiais, julgue os itens a seguir.

O vetor magnetização em meios lineares é diretamente proporcional ao vetor campo magnético (B⃗).
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

Em meios lineares, M é proporcional ao campo.

Em meios lineares M = χm·H, e como B = μ0(1+χm)H, M também é diretamente proporcional a B. A afirmação está de acordo com o gabarito.

Análise das alternativas

Certo: correto. Errado: nega a linearidade.

Referência: Eletromagnetismo, meios magnéticos lineares.

Resolução comentada do VaiConcursos.

Eletromagnetismo Magnetização em Materiais

Cebraspe 2025

Fundação Universidade de Brasília (FUB) · Engenheiro – Área: Elétrica

Gabarito disponível

Acerca da magnetização em materiais, julgue os itens a seguir.

Acoplamento de câmbio é um efeito quântico que gera os efeitos ferromagnéticos de materiais compostos de ferro, níquel e cobalto.
Selecione uma alternativa

Resolução comentada

O acoplamento de troca é a origem quântica do ferromagnetismo.

A interação de troca, de natureza quântica, alinha os momentos magnéticos de spin em domínios no Fe, Ni e Co, o que gera o ferromagnetismo.

Análise das alternativas

Certo: correto. Errado: nega a origem quântica do efeito.

Referência: Materiais magnéticos.

Resolução comentada do VaiConcursos.