Questão 27 — Transistores TBJ e FET — Funcionamento (Eletrônica Analógica) — Serviço de Seleção do Pessoal da Marinha (SSPM) · Marinha do Brasil 2024

Eletrônica Analógica Transistores TBJ e FET — Funcionamento

Serviço de Seleção do Pessoal da Marinha (SSPM) 2024 Superior

Marinha do Brasil · Oficial dos Quadros Complementares (CP-QC-CA-FN) — Eletrônica · Caderno Amarela

Gabarito disponível

A respeito do funcionamento de transistores bipolares de junção (TBJs) e transistores de efeito de campo (FETs), é correto afirmar que:

Selecione uma alternativa A) tanto o TBJ tipo NPN quanto o MOSFET de canal tipo N possuem em sua estrutura duas regiões dopadas tipo N separadas por uma região dopada tipo P. A diferença entre seus modos de operação é que no caso do TBJ haverá a formação de um canal tipo N induzido, interligando as regiões tipo N, enquanto no MOSFET este fenômeno não ocorre. B) a aplicação do TBJ como amplificador baseia-se no fato de que, no modo de saturação, este transistor atua como uma fonte de corrente controlada por tensão. C) no MOSFET o aumento da tensão dreno-fonte acima da tensão de saturação leva ao fenômeno de modulação do comprimento do canal, causando o encurtamento do canal induzido. D) para o TBJ, o efeito Early ocorre quando um aumento na tensão coletor-emissor leva a uma diminuição da tensão de polarização reversa sobre a junção. Esse fenômeno explica por que a corrente do coletor nunca varia com a tensão coletor-base na região ativa. E) para amplificadores com transistor FET em altas frequências, não é necessário considerar as capacitâncias internas que estão associadas às junções PN reversamente polarizadas, visto que não causam interferências significativas no ganho.

Resolução comentada

Acima da tensão de saturação, o MOSFET sofre modulação do comprimento do canal, que se encurta.

Quando V_DS passa de V_DSsat, o ponto de estrangulamento (pinch-off) se desloca em direção à fonte. O canal efetivo encurta, e a corrente de dreno cresce levemente com V_DS. Esse é o efeito de modulação do comprimento do canal.

Análise das alternativas

A está errada porque o canal induzido existe no MOSFET, não no TBJ. B está errada porque o TBJ amplifica na região ativa, não na saturação. D está errada porque no efeito Early a corrente de coletor varia, sim, com V_CB/V_CE. E está errada porque as capacitâncias internas limitam o ganho em altas frequências.

Referência: Microeletrônica – TBJ e MOSFET (efeito Early e modulação do comprimento do canal)

Resolução comentada do VaiConcursos.