Questão 27 — Semicondutores — Dopagem Tipo N (Eletrônica Analógica) — Serviço de Seleção do Pessoal da Marinha (SSPM) · Marinha do Brasil 2025

Eletrônica Analógica Semicondutores — Dopagem Tipo N

Serviço de Seleção do Pessoal da Marinha (SSPM) 2025

Marinha do Brasil · Corpo Auxiliar de Praças (CP-CAP/2025) — Eletrônica · Caderno Amarela

Gabarito disponível

Durante o processo de dopagem utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, impurezas específicas são introduzidas ao silício com o objetivo de modificar suas propriedades elétricas. Considerando o material do tipo n resultante desse processo, assinale a opção correta.

Selecione uma alternativa A) Possui excesso de lacunas como portadores majoritários, devido à adição de átomos trivalentes. B) A condutividade diminui com a introdução de impurezas doadoras. C) Apresenta elétrons livres como portadores majoritários, provenientes da dopagem com elementos pentavalentes. D) Transforma o silício em um isolante, pois impede o movimento de cargas. E) Os portadores minoritários são elétrons livres, responsáveis pela condução elétrica.

Resolução comentada

Material tipo n: elétrons livres majoritários, dopagem pentavalente.

Na dopagem tipo n, átomos pentavalentes (doadores, como fósforo) fornecem elétrons livres, que são os portadores majoritários.

Análise das alternativas

A: descreve o tipo p (trivalentes e lacunas). B: a condutividade aumenta. D: o silício dopado conduz melhor. E: no tipo n os minoritários são lacunas.

Referência: Semicondutores extrínsecos.

Resolução comentada do VaiConcursos.