Questão 15 — Dispositivos Semicondutores de Potência (Eletrônica de Potência) — Diretoria de Ensino da Marinha (DEnsM) · Marinha do Brasil 2017

Eletrônica de Potência Dispositivos Semicondutores de Potência

Diretoria de Ensino da Marinha (DEnsM) 2017 Superior

Marinha do Brasil · Professor do Magistério Superior — Engenharia de Controle · Caderno Amarela

Gabarito disponível

Ao longo dos últimos anos, os dispositivos semicondutores vêm evoluindo e sendo utilizados em um número cada vez maior de aplicações. A velocidade de chaveamento suportada é um dos parâmetros de escolha do dispositivo semicondutor ideal para cada aplicação. Sendo assim, é correto afirmar que:

Selecione uma alternativa A) os IGBT's possuem velocidade de chaveamento menor que os GTO's. B) os MOSFET's possuem velocidade de chaveamento menor que os IGBT's. C) os GTO's possuem velocidade de chaveamento maior que os MOSFET's. D) os IGBT's possuem velocidade de chaveamento maior que os GTO's. E) os GTO's possuem velocidade de chaveamento igual aos MOSFET's.

Resolução comentada

IGBT comuta mais rápido que GTO.

Pela ordem de velocidade de chaveamento, o MOSFET é o mais rápido, depois o IGBT, e o GTO é o mais lento. Logo o IGBT tem velocidade maior que o GTO.

Análise das alternativas

A) Errada: inverte a relação entre IGBT e GTO. B) Errada: o MOSFET é mais rápido que o IGBT. C) Errada: o GTO é mais lento que o MOSFET. E) Errada: as velocidades são bem diferentes.

Referência: Eletrônica de potência — comparação de dispositivos.

Resolução comentada do VaiConcursos.