Gabarito disponível
I- Os transistores tipo FET possuem uma região de controle chamada de porta (gate), que controla o fluxo de corrente entre o dreno (drain) e a fonte (source).
II- Os transistores tipo FET são polarizados de maneira semelhante aos transistores bipolares de junção (TBJ), usando resistores conectados entre a fonte e a porta.
III- Os transistores tipo FET podem ser classificados em dois tipos principais: JFET (Junction FET) e MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET).
IV- Os transistores tipo FET possuem alta resistência de entrada e baixa resistência de saída, o que os torna adequados para aplicações de alta impedância.
Resolução comentada
O gabarito considera corretas as afirmativas III e IV.
III está correta: os FETs dividem-se em JFET e MOSFET. IV está correta segundo o gabarito: o FET tem altíssima impedância de entrada, o que o torna adequado a aplicações de alta impedância. II está errada, pois o FET é controlado por tensão e sua polarização difere da do TBJ. A afirmativa I descreve a porta controlando a corrente dreno-fonte, o que parece correto, mas o gabarito oficial é D.
Análise das alternativas
A) e B) incluem a afirmativa I, que o gabarito não considera entre as corretas. C) inclui a II, que é falsa. E) inclui a II, que é falsa, além da I. Obs.: o gabarito pode refletir critério da banca.
Referência: Transistores de efeito de campo: JFET e MOSFET (Boylestad).
Resolução comentada do VaiConcursos.