Questão 12 — Semicondutores — Dopagem (Eletrônica Analógica) — Serviço de Seleção do Pessoal da Marinha · Marinha do Brasil 2024

Eletrônica Analógica Semicondutores — Dopagem

Serviço de Seleção do Pessoal da Marinha 2024

Marinha do Brasil · Corpo Auxiliar de Praças da Marinha — Eletrônica · Caderno Amarela

Gabarito disponível

No processo de dopagem para fabricação de placas e dispositivos eletrônicos, a impureza é realizada fundindo-se o silício com impurezas. Após esse processo, em relação ao material p, é correto afirmar que:

Selecione uma alternativa A) a fusão com silício é realizada com impurezas pentavalentes. B) não pode ser realizada a dopagem para material tipo p. C) para produzir material tipo p, a fusão é realizada com impurezas trivalentes (ou seja, com 3 elétrons na camada de valência). D) após o processo de dopagem, o grau de pureza desse material extrínseco tipo p é 100%. E) o silício puro tem grau de impureza 100%.

Resolução comentada

Material tipo p é obtido com impurezas trivalentes.

Para obter semicondutor tipo p, dopa-se o silício com impurezas trivalentes (aceitadoras), como boro ou gálio, com 3 elétrons na camada de valência. Isso cria lacunas, que são os portadores majoritários.

Análise das alternativas

A) Impurezas pentavalentes produzem material tipo n. B) É perfeitamente possível dopar para tipo p. D) Mesmo dopado, o material não tem pureza de 100%, pois contém impurezas intencionais. E) O silício puro (intrínseco) tem grau de impureza muito baixo, não de 100%.

Referência: Semicondutores extrínsecos tipo p e tipo n

Resolução comentada do VaiConcursos.